Перегляд за автором "Рахматов, А.З."

Результати 1-8 з 8

Анализ переходных процессов в радиационно облученых кремниевых p+nn+-структурах

Рахматов, А.З.; Каримов, А.В. (Физическая инженерия поверхности, 2012)

На основе экспериментальных данных зависимости времени жизни неосновных носителей заряда от радиационного облучения сделано заключение, что зависимость Kτ0 /Kt(Ф) от ρ(Ф)/ρ(0) с высокой степенью достоверности (R² = 0,96) ...
Влияние нейтронного облучения на процессы модуляции базовой области кремниевой p⁺nn⁺-структуры

Рахматов, А.З. (Физическая инженерия поверхности, 2013)

Приведены результаты исследования влияния нейтронного облучения на характер зависимости емкости от запирающего напряжения кремниевой p⁺nn⁺-структуры. Под воздействием нейтронного облучения дозой 3⋅10¹⁵ н/см² обнаружено ...
Влияние проникающей радиации на параметры кремниевого планарного высокочастотного высоковольтного выпрямительного диода

Рахматов, А.З.; Ташметов, М.Ю.; Сандлер, Л.С. (Вопросы атомной науки и техники, 2011)

Проведено исследование влияния электронов с энергией 4.5 МэВ и гамма-квантов с энергией 1.25 МэВ на величину прямого падения напряжения (UF), обратного тока (IR) и времени восстановления обратного сопротивления (trr) ...
Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения

Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Петров, Д.А.; Абдулхаев, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2012)

Предложен новый метод измерения на пряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого ...
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе

Каримов, А.В.; Джураев, Д.Р.; Ёдгорова, Д.М.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Каманов, Б.М.; Тураев, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2011)

Установленная взаимосвязь между током стабилизации и внешним сопротивлением, соединяющим исток с затвором, представляет интерес при разработке источников и ограничителей тока.
Управление падением напряжения кремниевого диода путем облучения электронами и термической обработки

Каримов, А.В.; Рахматов, А.З.; Абдулхаев, О.А.; Арипова, У.Х.; Хидирназарова, А.Ю.; Кулиев, Ш.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)

Приведены результаты исследования вольт-амперных и емкостных характеристик кремниевой диод-ной р+—р—n—n+-структуры, облученной флюенсами быстрых электронов, до и после термической обработки. Показано, что после термической ...
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния

Рахматов, А.З.; Скорняков, С.Л.; Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Абдулхаев, О.А.; Бузруков, У.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)

Исследованы процессы высококонцентрационной диффузии мышьяка в вакуумированных ампулах, влияния на параметры диффузионных р-n-переходов сверхтонких слоев оксида на кремнии. Обоснован выбор режимов и источника диффузии для ...

Результати 1-8 з 8

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Рахматов, А.З."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Рахматов, А.З."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис